中国缩小与韩国 HBM 差距技术，领先优势缩至 3 年

中国正在迅速缩小与韩国在HBM技术方面的差距，DRAM利润飙升预计将加速这一进程。

韩国半导体产业协会周日发布的数据显示，韩国与中国在存储芯片领域的技术差距已缩小至：HBM方面三年，DRAM方面两年，NAND闪存方面一年。此前预计超过五年的差距，如今已缩小至一代或更少的技术水平。

这一进展的迹象已经显现。长鑫存储（CXMT）正在与包括阿里巴巴旗下平头哥半导体（T-Head）在内的多家本土无晶圆厂芯片公司合作，测试其第五代HBM芯片HBM3E。长鑫存储计划最早于明年推出搭载该芯片的信息技术产品。HBM3E仅比三星电子、SK海力士和美国美光科技生产的HBM4芯片落后一代。

“中国半导体技术的发展速度远超预期，”汉阳大学ERICA校区中国研究与机器人学教授白瑞仁表示，“它有效地将两到三年的发展成果压缩到了一年之内。政府的支持、庞大的国内市场和强大的科研生态系统共同推动了技术的快速发展。”

中国在HBM方面进步显著，而这种增长是在美国限制下实现的。

用于制造先进芯片所需超精细电路图案的极紫外（EUV）光刻设备，对于制造先进的HBM芯片至关重要。但由于美国限制向中国出口先进芯片制造技术，中国一直无法获得EUV设备。

中国转而发展后端工艺，特别是先进封装和异构集成技术，这些技术涉及芯片的堆叠和连接。先进封装将多个芯片封装在单个封装中，以提高性能和效率；异构集成则将不同类型的芯片连接成一个系统。

据DigiTimes报道，长鑫存储已将长江存储开发的3D NAND闪存键合技术X-Stacking应用于其HBM设计中。该技术可直接键合两片晶圆，缩短电路间的距离，从而无需EUV光刻设备即可实现更高的带宽和更低的发热量。

长鑫存储还与国内主要的后端企业展开合作。武汉新芯半导体制造有限公司负责晶圆封装，通富微电负责HBM生产的组装和测试。

与此同时，华为制定了一个目标，即到2031年实现1.4纳米级工艺，无需EUV光刻技术，采用“逻辑折叠”方法，将存储器对折而不是堆叠。

三星电子和SK海力士专注于高利润率的高端产品，例如HBM和服务器内存，这或许反而为它们的中国竞争对手打开了机会之门。中国企业已经开始从主流内存市场获取利润，并将这些利润再投资于下一代产能和HBM的研发，从而形成良性循环。

主流DRAM，包括全球个人电脑和智能手机常用的DDR5，供应短缺日益严重，导致其价格在第一季度较上一季度飙升98%。长江存储和长鑫存储迅速采取行动填补供应缺口，扩大其在主流内存市场的份额。

长鑫存储在第二季度占据了全球DRAM市场10%的份额，是去年同期4%份额的两倍多。根据市场研究机构Counterpoint Research的数据，这使其排名第四，落后于三星电子（38%）、SK海力士（25%）和美光（24%）。

长江存储（YMTC）第二季度在NAND闪存市场的份额为14%，高于去年同期的9%。三星电子以28%的市场份额位居榜首，其次是SK海力士（19%）和美光（15%）。

据《金融时报》8月26日报道，长江存储的目标远不止于此。该公司在最近一次首次公开募股（IPO）筹备会议上告诉投资者和利益相关者，“希望最快在2027年底前夺得全球NAND闪存市场的霸主地位”。

市场份额的增长也转化为收益的激增。

长鑫存储上半年营收同比增长873.6%，达到1503.1亿元。其中，958亿元，占总营收的64%，来自中国大陆以外地区，这表明该公司已在全球供应链中占据了重要地位。

长鑫存储上半年也扭亏为盈，净利润达776亿元，而去年同期净亏损23.3亿元。

其盈利能力也大幅提升。长鑫存储第二季度营业利润率高达82%，超过了SK海力士的76%和三星电子半导体业务的70%。这些数据表明，中国芯片制造商不再依赖早期扩张时期那种低利润、高产量的战略。

中国半导体公司多年来虽然亏损，但一直在生产芯片，现在正受益于半导体超级周期，在十年后实现盈利，并积累了现金以资助进一步的研发。

“中国企业正通过寻找替代途径采购关键零部件并开发自身技术来应对美国对先进芯片和设备的出口限制，”嘉泉大学半导体学院首席教授金容锡表示。“随着中国凭借其庞大的国内市场和不断增长的财力大力推进HBM技术，韩国芯片产业需要加快应对步伐。”

更大的威胁或许还在后头。长鑫存储近期通过在上海证券交易所上市筹集了超过13万亿韩元，约合650亿元的资金，目前正在加速扩大其位于合肥和上海的生产基地。

据《华尔街日报》等媒体报道，苹果公司已对长鑫存储的内存进行了测试，以用于其从中国出口的产品。长鑫存储还对美国国防部提起诉讼，要求将其从中国军工企业名单中移除，以降低进入全球供应链的门槛。

本文来自微信公众号“Tech商业”，36氪经授权发布。