M85内核,MCU的新热点
随着厂商开始推出性能极高的MCU,我们越来越难分清MCU和MPU的界限了。
早在2022年,Arm推出Cortex-M85时候,有工程师曾言:“虽然是M85是Cortex-M ,但我觉得性能已经超越了早期的Cortex-A,后面M85的处理器不仅仅是一款单片机了,算的上是一款微应用处理器了。”
而在最近,厂商开始加码M85的MCU,这些产品似乎真的有着比肩MPU的能力。这些产品有什么亮点?EEWorld今天来盘点一下。
看懂M85的里子
性能,是M85最简单粗暴的优势之一。
M85是首款支持超过6 CoreMarks/MHz且超过3 DMIPS/MHz的Cortex-M,同时,通过Arm Helium技术与其前代M7相比M85实现了4倍的DSP和ML处理提升。这种标量性能水平得益于微架构层面的许多创新特性,包括优化的双发射和选择性三发射能力、改进的分支预测,以及包括数据预取在内的增强内存系统等。
根据Arm的说法,面对日益严苛的计算需求,Cortex-M微控制器系统开发者面临抉择:是优化软件以从现有微控制器中榨取更多时钟周期处理能力,还是将代码库迁移到性能更高的微处理器架构?Cortex-M微控制器具备多重优势,包括确定性执行、短中断延迟和先进低功耗管理模式。若转向Cortex-A的处理器,意味着将牺牲部分Cortex-M的固有优势。所以,Cortex-M才要推出一款性能如此“炸裂”的产品。
说白了,就是满足大家“既要又要”的想法,既要媲美MPU的高性能,又要保留MCU的低BOM成本控制、低功耗及开发易用性。
内存系统架构,是M85的另一个优势。
M85配备紧密耦合内存(TCM)的低延迟内存系统可保障确定性操作。该架构为SoC设计人员提供了四个32位数据TCM接口与一个64位指令TCM接口,所有接口均集成错误校正码(ECC)功能。新增的32位AHB访问接口端口允许外部DMA控制器与M85处理器内核并发访问TCM,从而支持多种常见的数据流处理应用场景。
M85内存系统还包含配备ECC的一级缓存系统,通过AMBA 5 AXI主接口连接外部存储器,在面对低速非确定性内存访问时仍能保持性能优化。
安全,则是M85另一大卖点。
M85引入了Armv8-M架构的TrustZone技术,同时成为首款集成Armv8.1-M指针验证与分支目标识别扩展(PACBTI)的Cortex-M处理器,显著降低开发者达成PSA安全认证2级的实现门槛。PACBTI通过验证函数调用与返回地址,为抵御面向返回和面向跳转的软件攻击提供增强防护。
总之,M85带来的空前性能水准为MCU开发者开辟了新天地,当时厂商也纷纷表示准备跟进。不过毕竟更新换代没有那么快的,而且M85如何定位也会是一个问题,而在现在,M85或许到了该爆发的时候了。
ST出手了
ST在前几日推出了STM32V8,引发了EEWorld许多网友的讨论,这款产品是STM32系列微处理器中性能最高的一款产品之一,EEMBC CoreMark评分达到了恐怖的5072,比STM32N6还要高上不少。
18nm、800Mhz Cortex-M85、4MB PCM(相变存储)、MVE(Arm Helium M-profile Vector Extension)——这些关键词都是这款产品实力的体现。
根据ST的说法,仅通过升级至M85内核,新品在实时控制应用的标量数学运算性能上就提升20%;对比与Cortex-M7产品,同主频下性能提升3.5倍;依赖DSP功能的应用性能增幅更高达300%~400%。
之所以能够拥有如此强大性能,与其采用的18nm FD-SOI PCM工艺息息相关,该工艺与汽车MCU Stellar系列同款。FD-SOI与同样提供高性能运算的FinFET形成竞争格局。该技术在MCU领域属于相对新兴的应用,不仅使STM32V8实现更高运行速度,还显著优化了功耗效率。
PCM作为一种嵌入式非易失性存储器 (NVM)技术已发展出多种形态,包括英特尔已停产的3D XPoint内存,PCM存储以速度著称。由于嵌入式闪存(eFlash)技术难以突破,MCU一直被卡在40nm这一制程节点,为了让缩小制程,业界盯上了新型存储。
PCM是与MRAM、FRAM、RRAM竞争的一种存储技术。PCM提供了同类最小的存储单元,可以在尽可能小的单位面积上,实现较之以往一倍以上的信息存储信息量提升,进一步带来物理优势,实现最小的存储区。它可以在不改变成本的情况之下,将整体的存储容量提升一倍,这毫无疑问就能够带来进一步的成本提升。
更重要的是,相较MRAM与FRAM,ST的PCM具备额外优势:支持最高140℃的工作温度,其抗辐射等特性使之既能适用于航天领域,也能满足严苛工业及汽车应用需求。所以我们看到,STM32V8一大重要应用就是航天。
该系列芯片支持最高4MB的ePCM与1.5MB RAM,片外串行存储器接口包括八线SPI(8位)与十六线SPI(16位),可支持串行NOR闪存、HyperRAM、PSRAM以及就地执行(XIP)操作。
AI能力的大提升是STM32V8的另一个优势。通过Arm Helium M-profile向量扩展(MVE)技术构筑AI能力基石。Helium作为基于打包单指令多数据(SIMD)和单元素标量指令的Arm数学架构,支持整数与浮点数运算,涵盖8位至64位整型操作及128位向量中的16/32位浮点运算。该技术为高性能微控制器带来增强的机器学习(ML)与数字信号处理(DSP)能力,Arm更将MVE封装成适用于C/C++开发的函数库与代码生成工具。
伴随新品发布,ST还为其边缘AI产品线升级了AI模型库。该模型库汇集经过预训练的AI模型,覆盖多种AI应用场景。这些模型专为适配意法半导体AI微控制器产品组合而优化,可加速边缘AI开发进程。据官方介绍,模型库现有140余个模型,应用范围涵盖可穿戴设备、智能摄像头与传感器、安防设备及机器人等设备所需的视觉、音频与感知功能,模型库支持PyTorch、TensorFlow、RSCI框架、LiteRT及Onex格式模型开发。
STM32V8还有其他一些细节上的升级,包括:集成Chrom-ART图形加速器、TFT LCD控制器及JPEG加速器;千兆以太网控制器支持时间敏感网络(TSN),同时配备FD-CAN、高速USB和HDMI-CEC等接口;包含12位ADC与DAC接口以及两组SAI与四组I2S音频接口;涵盖安全存储、安全启动与安全调试支持;配备唯一身份标识与防篡改机制,并通过PSA Level 3与SESIP 3安全认证。
瑞萨更早布局
瑞萨对于M85的布局更早,而且更新产品也异常勤奋和频繁。
2023年10月,瑞萨推出业界首款基于Arm Cortex-M85处理器的RA8系列MCU——RA8M1,备突破性的3000 CoreMark,并可满足客户应用所需的完全确定性、低延迟及实时操作要求。根据瑞萨的说法,6.39 CoreMark/MHz(注)性能水平,将使系统设计人员能够使用RA MCU替代应用中常用的MPU。
当时,瑞萨的第一代RA8主要还是围绕M85内核扩大产品线,这款产品采用的是480MHz M85搭载Helium MVE,在存储方面也没有上新型存储,搭载1MB~2MB闪存和 1MB SRAM(包括TCM)。
今年6月,瑞萨就在官网悄然上线了“全球最强MCU”RA8P1系列。
第二代的RA8把工艺提升到22nm ULL 工艺,搭载了新型存储的0.5/1MB MRAM(可选 4/8MB 闪存),主频也跟着工艺有了大提升,M85内核的主频达到了1GHz,对比起来,RT1170采用的则是28nm FD-SOI制程工艺。
根据瑞萨的说法,相较于闪存,MRAM具备更快的写入速度、更高的耐用性和更强的数据保持能力。不光如此,为了追求更好的AI性能,第二代的RA8还集成了Ethos-U55 NPU和另一颗250MHz的M33。
在推出RA8P1的同时,瑞萨也同步推出了RA8D2,这款产品同样是搭载了1GHz的M85内核以及新型存储MRAM。
今年10月,瑞萨继续迭代,推出1GHz RA8T2 Cortex-M85微控制器,集成MRAM与EtherCAT赋能工业电机控制微控制器。该产品集成1MB MRAM、2MB带 ECC校验的SRAM,同时为双内核分别配置256KB(M85)和 128KB(M33)紧耦合内存(TCM),并支持SiP封装扩展至8MB外部闪存。
紧接着没几天,瑞萨又给RA8系列新增两款产品RA8M2和RA8D2,并且还刷新了跑分,达到了恐怖的7300 CoreMark。
瑞萨表示,RA8M2和RA8D2搭载嵌入式MRAM,相较闪存技术具备多重优势——高耐用性与更强的数据保持能力、更快的写入速度、无需擦除操作、支持字节寻址,同时具备更低的漏电流和制造成本。对于要求更高的应用,还提供单个封装中带有4或8MB外部闪存的SIP选项。此外,RA8M2和RA8D2两款MCU均包含千兆以太网接口和双端口TSN交换机,可满足工业网络应用场景的需求。
可以说,最近的瑞萨真的是死磕高算力MCU,而且为了让MCU的制程更高,性能更强,还同时还死磕了MRAM。
写在最后
从M85落子到MCU中,我们真的快分不清是MCU,还是MPU了。很明显,这些布局,是为了AI,AI真的是为产品升级提供了很大的动力。
而M85正以超越传统MCU的极致性能与异构集成能力,重新定义高性能嵌入式系统的边界,引领MCU迈向“算力无界”的新纪元。
参考文献
[1]Arm:https://developer.arm.com/community/arm-community-blogs/b/internet-of-things-blog/posts/introducing-cortex-m85
[2]All About Circuits:https://www.allaboutcircuits.com/news/stmicro-unveils-first-18-nm-mcu-for-high-performance-designs/
[3]Electronic Design:https://www.electronicdesign.com/technologies/embedded/article/55332065/electronic-design-stmicroelectronics-stm32v8-utilizes-fd-soi-and-phase-change-memory
[4]ST:https://www.st.com/resource/en/product_presentation/stm32v8-presentation.pdf
[5]Renasas:https://www.renesas.cn/
本文来自微信公众号“电子工程世界”(ID:EEworldbbs),作者:付斌,36氪经授权发布。















