海外封锁 3300V 以上 PDK、国内产线盲目烧钱试错：芯富发要做碳化硅晶圆制造的 ' 工程加速引擎 '
第三代半导体产能建设与国产替代提速的背景下，上海芯富发科技有限公司（以下简称“芯富发”）正推进800万元人民币的天使轮融资。本轮融资计划出让8%股权，投后估值1亿元人民币，募集资金将重点用于3300V及6500V高压器件在晶圆代工厂的多批次流片、高纯材料采购、SFFSIC7K超高压防打火探针测试样机组装及客户验证实验室建设。
作为定位于国内碳化硅晶圆制造“工艺工程加速引擎”的平台型技术公司，芯富发依托核心团队二十余年的晶圆量产工程底蕴，打造贯穿Fabless、Fab与OSAT全链条的Design Fab Service平台。公司不单纯从事芯片设计或单一节点代工，而是聚焦从建厂装机、Split DoE试产、超高压工艺定型到产线良率爬坡的全生命周期工程，为国内SiC IDM与晶圆代工厂提供全套交钥匙工程与底层闭环赋能。
• 项目面向的核心痛点与市场需求
直击超高压封锁与试错痛点，打造碳化硅晶圆“工程加速引擎”
伴随轨道交通牵引变流器、国家电网特高压柔性直流输电以及大功率重卡储能系统的升级，1700V至6500V超高压碳化硅功率器件正在迎来确定性的结构性爆发。行业数据显示，虽然中低压新能源汽车市场出货规模庞大，但1700V–6500V轨交与特高压电网级器件的毛利率普遍超过65%，约为车载器件的2.5倍，具备极高的商业附加值。然而，高压碳化硅芯片的制造门槛极高，海外半导体寡头长期对华封锁3300V以上的高压器件结构与PDK核心参数，国内制造厂商长期面临无成熟PDK、无现成工艺Recipe及无失效机理数据库的严峻制约。
与此同时，国内近年来新建与规划了超过二十条碳化硅晶圆产线，但行业内极度匮乏具备十五年以上前道量产经验的带头人。多数新建产线在设备进场后陷入盲目烧钱试错的困局，动辄展开数十轮全工序Split DoE试片，单条产线试片损耗成本动辄数千万元甚至上亿元，晶圆综合良率长期徘徊在40%左右难以突破。此外，在测试环节，晶圆进入大于3300V的高压测试阶段时，探针极易引发空气电弧击穿并瞬间烧毁整片晶圆，而进口防打火超高压探针台不仅采购成本高达上千万元且受到限制，迫使多数企业只能在昂贵封装完成后再行抽检，造成巨额的无效封装成本浪费。
针对上述痛点，芯富发以全栈工程能力切入市场，自主研发多级结终端扩展（JTE）与深沟槽边缘保护结构，实现器件击穿电场突破6800V。通过直接输出标准化的两百步MES基准流程与设备工艺闭环数据包，芯富发能够帮助新建晶圆厂快速收敛工艺窗口，使传统产线从建厂到成熟出片的周期由36个月压缩至14个月以内，直接为客户规避绝大部分试错陷阱。
• 产品/技术的解决方案及关键能力
三大闭环贯穿制造全流程，自研超高压测试破局行业瓶颈
芯富发的核心壁垒在于其打通了TCAD模拟、Si实晶制造与设备Recipe三大底层闭环。在虚拟仿真层面，芯富发建立了SiC多型材料物理模型库与雪崩击穿算法，将芯片底层仿真与实际晶圆物理测试的误差从行业平均的18%大幅压缩至3%以内，确保设计在流片前即具备高度可控性。在实体制造层面，团队将头部Foundry的量产实战标准全面引入外延缺陷筛选、高温离子注入活化、晶圆减薄及背面金属化等关键环节，建立从微观晶格缺陷到颗粒污染的严苛收敛标准。
在设备协同方面，芯富发团队深度掌握主流国产与进口半导体设备的工艺窗口与误差边界，通过对MES、RMS与YMS系统进行深度的二次开发，有效消除了高温退火与射频沉积过程中的温区漂移及腔体离散性。在实际建厂工程中，芯富发团队能够在机台进场的前四个月完成基线Recipe灌装与静态验收，随后的五个月内主导完成关键工序的Split DoE验证并锁定工艺窗口，并在投产后的十至十四个月内通过良率系统全面接管产线，推动晶圆综合良率由初始的40%快速跨越至85%的成熟量产标准。
针对高压测试领域的硬件卡脖子瓶颈，芯富发自主研制出SFFSIC7K超高压晶圆CP测试系统。该装备搭载具备专利保护的微正压绝缘气体防打火测试腔体，将连续测试耐压推升至3300V以上，硬件架构极限耐压达到12kV，并实现皮安级的高精度微弱漏电检测。该系统兼容六英寸与八英寸碳化硅晶圆，能够在切片封装前彻底筛除耐压不良品，单片晶圆可为客户直接节省超过1.5万元人民币的无效封装与材料耗损成本，补齐了国内超高压晶圆测试产业链的关键短板。
• 商业模式、目标用户与市场空间
全生命周期技术授权释放商业价值，老兵团队推进天使轮融资
依托独特的全流程工程服务能力，芯富发构建起多元化且具高毛利韧性的Design Fab Service商业闭环。公司的营收由四大支柱构成：一是面向设计客户与晶圆厂收取单套300万至1000万元的高压制程与器件IP授权费；二是针对新建产线提供覆盖工艺、设备Recipe、材料及测试的一站式Total Solution交付工程，单套订单金额在5000万至1.5亿元之间；三是伴随晶圆进入稳定量产阶段抽取3%至5%的Royalty权利金；四是向行业销售自研的SFFSIC7K超高压CP测试机台。
从市场规模来看，全球碳化硅功率器件及衍生平台服务市场预计将在2030年突破千亿元规模，其中中国本土轨交、特高压电网及产线工艺授权的直接目标服务市场（SAM）约为195亿元。芯富发计划在三年内实现18.5亿元的可获取市场份额（SOM）。根据财务模型测算，公司预计在2027年实现营业收入2400万元，2028年营收跃升至7500万元并实现季度营运现金流转正，2029年营收预计达到1.8亿元，净利润率超过35%，长期综合毛利率稳定在58%以上。
• 团队背景与现阶段进展
芯富发的底层底气源于深厚的工艺实操经验。公司创始人兼CEO Steve拥有二十余年晶圆制造与IDM前道量产全栈管理经验，曾担任头部Foundry工艺研发总监，完整操盘过八款高压功率芯片量产，累计交付量产晶圆超过50万片，具备从PDK规则设定到数千起RMA客诉失效归因的全链路操盘经验。核心研发班底汇聚了精通RMS与YMS自动化的设备工艺专家、深耕3300V–6500V低比导通电阻设计的器件设计总监，以及拥有十二年探针测试研发积淀的硬件架构专家，团队已在超高压JTE结构、高温激活碳膜保护及抗打火腔体等方向布局了28项核心发明专利与软件著作权。
目前，芯富发已打通合作代工产线管道，并与国内主流车规及轨道交通牵引机构建立先期对接，其6500V工程样片展现出优异的安全开关特性与抗宇宙射线单粒子烧毁能力，失效率严格符合铁道部标准。本轮800万元天使轮融资到位后，芯富发将加快在伙伴代工厂完成3300V及6500V商业级IP的固化流片，加速高压防打火测试设备的量产落地，力争在交付后第九个月实现商业合同规模化签约，为国内重资产碳化硅晶圆产线的良率爬坡与产能释放注入确定性工程动力。
