「一次流片成功、全球首发多层DRAM堆叠」光羽芯辰首颗 3D 堆叠芯片正式开始量产部署

2026 年 5月底，光羽芯辰首颗 3D 堆叠存算/近存算 AI 芯片成功回片，并于7月17日在2026 世界人工智能大会全球首发端侧大算力3D 堆叠存算/近存算低功耗大模型推理芯片TC1000系列，目前已完成工程验证并进入量产部署阶段。

关键点

•  回片与点亮： 首颗芯片于5月回片，6 月成功点亮，分别在 2 层 DRAM 与 4 层 DRAM 两种堆叠配置下完成 3D 堆叠存算/近存算芯片全球首发；

•  工程化速度： 在芯片点亮基础上仅用 1 个半月时间，完成了 2 层与 4 层 DRAM 配置下的模型部署，以及软件栈调通；

•  客户验证： 已率先在多家战略客户的产品平台上完成应用部署与模型部署，覆盖 AI PC、AI 手机、智能算力盒子、工业 AI、行业算力底座、AI座舱、具身智能等场景；

•  核心架构： 同步完成 LPU 架构、3D 存算/近存算架构与存储分层三项关键技术的工程化落地；

•  性能数据： 低功耗下实现单芯片3B 参数模型推理约 300 token/s、单芯片35B 参数模型推理约 70 token/s；

•  量产基础：一次流片成功，良率超过公司预期。

一、5 月回片、6 月点亮，2 层与 4 层 DRAM 3D 堆叠芯片并行部署

光羽芯辰首颗芯片于 2026 年 5 月底完成回片，6 月实现点亮。整个点亮过程跑通了芯片功能测试、典型工作负载推理性能以及软件栈的顺利调试。

TC1000芯片实现了两大重大突破：

第一，分别完成 2 层 DRAM 与 4 层 DRAM 的 3D 堆叠存算/近存算芯片工程化量产落地。行业内通常只针对单一堆叠层数进行样片验证，光羽芯辰在同一次流片中并行对两种堆叠方案实现量产落地，分别对应不同的算力—带宽—成本组合，可面向端侧高带宽推理与中等规模边缘推理两类不同的目标场景。

第二，公司作为国内大带宽 3D 堆叠工艺路径的领军企业，率先采用该工艺路线完成端侧大算力 AI 芯片点亮和量产。其内存子系统的带宽水平和光羽独创的高带宽利用率技术，能够直接支撑复杂端侧大模型推理所需的访存吞吐。

二、一个半月，完成3D堆叠架构模型部署与软件栈调通

芯片点亮只是开始，能不能在真实端侧设备上把模型跑起来才是芯片能否走向量产的真正标尺。基于团队的工程化与量产经验，光羽在完成回片后仅用了 1 个半月时间，完成了 2 层 DRAM 配置与 4 层 DRAM 配置下的 3D 堆叠存算/近存算芯片模型部署，以及端到端软件栈联调。整个流程覆盖了大模型从编译、量化、算子映射到运行时调度的全链路，验证了在公司硬件平台上对主流开源模型与公司自研模型在编译兼容性、算子覆盖与运行时稳定性方面的可用性。

公司已成功在TC1000实现低功耗下3B模型300token/s的超高推理速度，并在单颗芯片实现低功耗下35B模型70token/s的推理速度。

三、已在多家战略客户完成应用部署与模型部署

与许多仍停留在工程样片阶段的端侧3D堆叠AI芯片公司不同，光羽芯辰从首颗芯片立项之初就把"商业化与量产能力"作为产品主轴，而不是只做性能跑分。目前，TC1000已经在多家战略客户的产品平台上完成了应用部署和模型部署，覆盖 AI PC、AI 手机、智能算力盒子、工业 AI 、行业算力底座、AI座舱、具身智能等端侧与边缘侧的关键场景。这些部署工作验证了芯片在真实业务环境下的可用性，也为大规模量产奠定了客户基础。

四、LPU 架构、3D 存算/近存算与存储分层，三项关键技术协同进入量产

首颗芯片量产的另一项重点，是三项关键技术的协同落地：LPU架构、3D 存算/近存算架构，以及基于这套架构的存储分层方案。

光羽芯辰是行业内少数同时把上述三项技术一并推进到量产阶段的团队。其中，存储分层是公司针对大模型推理场景提出的一套软硬协同的数据分布策略：

•  原理： 基于对大模型推理过程中数据访问冷热规律的深度理解，公司将MOE多专家模型推理过程中的"热数据"（比如激活的专家）放在 3D DRAM 这类高带宽存储介质上，将访问频率居中的"温数据"（比如未激活的专家）放在LPDDR（或HBF）这类存储介质上，将只在模型加载和长上下文推理阶段使用的"冷数据"放在 SSD 等高密度存储介质上；

•  解决的工程问题： 多专家并行架构下的 KV Cache 与专家权重预取、冷热感知、硬件压缩等关键工程问题；

在性能层面，TC1000实现3B 参数级别模型约 300 token/s，35B 参数级别模型约 70 token/s。芯片实现在典型应用场景下10W的平均功耗，符合设计规格要求和客户的量产应用要求。3B 与 35B 模型在同一颗芯片上同时获得较高的推理速度与能效比，是 LPU 架构、3D 存算/近存算架构与存储分层三者协同工程化和量产化的直接结果。

五、一次流片成功，良率超过公司预期

在公司全体员工的努力下，TC1000一次性流片成功，展现了光羽极强的工程化和量产能力，并在一个半月时间内完成了端到端的工程验证并实现量产。

在芯片行业，单次流片费用通常以数千万人民币为单位计算，很多公司要经过芯片回片、点亮、软件调试调优、良率调优等过程，经历长期验证才能进入大规模量产。光羽芯辰首颗芯片在一次流片的基础上即达成当前良率水平并进入量产状态，仅用一个半月时间完成全部工作，体现了一次流片成功、快速调试点亮、快速量产的“光羽速度”， 在AI端侧多层堆叠大算力应用场景领域实现了全球最快落地，体现了团队卓越的工程化能力、优秀的调优调试能力和量产基因底色。

面向未来

TC1000的量产只是光羽征程的开始，在首颗芯片完成量产部署之后，公司的第二代芯片将进一步实现超低功耗端侧部署，第三代芯片瞄准大算力边缘计算平台和高性能云端推理的超大规模模型部署，并将在 3D 堆叠领域继续保持工程化投入，并在存算、近存算以及存储分层等方向继续把技术做深，为AI走入第五次工业革命全面赋能。

关于光羽芯辰

光羽芯辰由创始人周强博士联合知名AI独角兽和存储龙头企业创立，专注端侧大模型 AI 芯片、 3D 存算/近存算架构研发和云端高性能推理，率先打通流片订单量产闭环，实现商业化全面领跑，获产业与资本双重加持。自研 EdgeAIon®全栈软硬件体系，实现带宽及算力利用率超70%和80%，超行业均值2倍，牵头制定行业官方标准，累计近百余项发明专利，从技术到规则全面构筑壁垒。产品矩阵覆盖80%以上的端侧AI芯片场景，致力打造普惠高性能国产 AI 算力解决方案。