韩国半导体，猛攻日本腹地

半导体行业观察·2026年04月18日 14:27

日本构建的材料和设备“帝国”，正在被撬动

众所周知，日本在半导体上游材料与设备领域长期握有绝对的话语权。然而，随着 AI 浪潮进入全速爆发期，韩国半导体势力正凭借其激进的资本意志与“全产业链垂直整合”优势，发起一场蓄谋已久的突围战：从三星电机与 LG 巨资豪赌 FC-BGA，到 MLCC 市场的步步紧逼，再到光刻胶与核心设备领域的硬核破局。韩国正精准切入日本厂商的传统腹地，那些曾被视为日企坚实“自留地”的领域，正被韩国撕开一道道深层的口子。

FC-BGA：韩国打响“封装反攻战”

根据彭博社4月14日的消息，三星电机拟向其越南制造子公司投资12亿美元（约1.8万亿韩元），用于扩建高附加值封装基板——FC-BGA（倒装芯片球栅格阵列）的产能。自2024年起，三星电机已在越南工厂启动FC-BGA量产，并逐步将其定位为AI与数据中心业务的关键增长引擎。

在半导体江湖的传统认知中，基板曾长期被称为芯片的“支架”或“底座”，属于技术含量远逊于核心逻辑芯片的辅助部件。然而，2026年AI浪潮的爆发彻底重构了这一价值链。随着GPU、AI ASIC等大芯片的尺寸不断扩大、I/O密度持续攀升、信号速率迈向112G/224G甚至更高水平，基板不再只是“承载”，而成为连接芯片与系统之间的高速互连核心与电气性能边界。

具体来看，FC-BGA在AI系统中的关键作用体现在三个层面：其一，是支撑大规模I/O互连能力，单颗AI芯片往往需要数千乃至上万引脚，对应基板需要具备更高层数（通常20层以上）、更细线宽/线距（逼近类IC级工艺）；其二，是保障高速信号完整性，在高频传输场景下，基板材料（尤其是ABF树脂）、层间结构与布线设计直接影响损耗、串扰与延迟；其三，是参与热管理与功耗控制，高功耗AI芯片（单颗可达700W甚至更高）对基板的热扩散与机械稳定性提出更高要求。因此，FC-BGA的技术难度，本质上已经逼近“准芯片制造”。

正是在这一背景下，FC-BGA市场在近两年出现结构性紧张。高端ABF基板尤其是用于CPU/GPU的供给长期紧缺，而中低端BT基板则相对饱和。根据富士嵌合体综合研究所的数据，全球FC-BGA市场规模将从2022年的约80亿美元增长至2030年的164亿美元，实现翻倍增长，而AI服务器与HPC成为最主要的需求驱动力。

供需错配的直接体现，是产能长期处于高负荷状态。三星电机方面披露，其面向服务器和数据中心的FC-BGA产线几乎满载运行，即便持续追加投资，仍难以满足需求。公司总裁张德铉在2026年3月的股东大会上直言：“需求超过产能50%以上”，这一表述从侧面反映出AI时代封装基板的真实紧缺程度。类似情况也出现在日本与中国台湾厂商中——包括Ibiden、Shinko、Unimicron（欣兴）、Nan Ya PCB（南亚电路板）等主力供应商，其高端产能基本被英伟达、AMD、英特尔等客户长期锁定。

据韩媒报道，三星电机已获得英伟达AI推理专用芯片Groq3 语言处理单元（LPU）中使用的FC-BGA的一级供应商（主要供应商）地位，预计最早将于今年第二季度开始量产。

除了三星，LG Innotek早在2022年宣布进军高附加值半导体基板FC-BGA业务，通过收购LG电子的龟尾第四工厂，LG打造了代号为“Dream Factory”的高端基板制造基地。2024年2月，LG的FC-BGA已正式进入批量生产阶段，重点针对自动驾驶、高性能计算（HPC）等日本厂商的传统领地发起冲击。

过去几十年，封装基板的天下一直由日本厂商占据——揖斐电（Ibiden）、新光电气（Shinko）以及京瓷（Kyocera）三巨头掌握着全球超过60%的市场。日本厂商的优势在于材料学的深厚底蕴，以及与Intel、AMD等美系芯片大厂数十年的信任背书。然而，当前的局势正在发生显著变化：面对AI浪潮，韩国厂商在资本开支（CAPEX）上的决断力远超相对稳健的日本公司。而且韩国拥有SK海力士（HBM霸主）和三星电子（存储+代工）两座大山，基板厂商能够与芯片设计、制造部门实时联动，从而在AI芯片迭代周期中占据先机。

MLCC：一场已经打赢的仗

而MLCC，是韩国已经打过的一场仗。

长期以来，这一领域几乎被日本企业所垄断。以村田制作所为代表，日本厂商不仅在市场份额上占据主导，更在材料体系（高纯陶瓷粉体）、电极配方、叠层与烧结工艺等核心环节建立了深厚壁垒，使得MLCC成为典型的“看似简单、实则极难”的产业。

但这一格局，在过去十年中逐步被打破。三星电机通过持续加码研发与产线升级，已成长为全球第二大MLCC厂商，并在多个细分领域实现突破：在中端消费电子市场，已完成对日本厂商的替代；在高端领域，则持续向车规级与高容值方向推进。例如，其已推出可在180°C以上高温环境下稳定运行的车用MLCC，同时针对AI服务器与加速器开发出具备更高电容密度、更低ESR（等效串联电阻）与更小尺寸的产品，以适配高频、高电流与瞬态负载变化剧烈的场景。

这一转变的背后，是需求侧结构的深刻变化。随着新能源汽车与自动驾驶系统的快速普及，单车MLCC用量已从传统燃油车的几千颗提升至上万颗甚至更多，而在AI服务器与数据中心中，高性能处理器与电源管理模块对MLCC的需求也呈现指数级增长，尤其是在电源去耦与高频滤波环节，对高容值、小尺寸产品的依赖显著增强。这种“高端需求爆发+总量增长”的双重驱动，使得MLCC市场从一个稳定成熟的赛道，转变为持续扩张且结构升级的关键环节。

韩国厂商能够实现追赶甚至局部超越，一个关键因素在于其将存储芯片领域积累的微细加工能力迁移至MLCC制造之中。无论是纳米级材料控制、薄层沉积、精密对位，还是大规模量产过程中的良率管理，这些能力与DRAM/NAND的制造逻辑高度相似，使得三星电机在工艺迭代速度与规模化能力上具备天然优势。同时，其与三星电子在终端与系统层面的协同，也为产品验证与快速导入提供了闭环支撑。

从产业竞争格局来看，MLCC的变化具有典型的“先易后难”特征——韩国厂商先在中低端市场完成替代，通过规模与成本建立优势，再逐步向高端车规与AI场景渗透，缩小与日本厂商在材料与可靠性上的差距。尽管在极高端产品（如超高可靠性车规与特定工业级应用）上，日本厂商仍具备领先优势，但整体市场结构已经发生根本性变化：从“日本主导”，转向“日本+韩国双强竞争”。

光刻胶与设备：攻入日本的腹地”

基板和MLCC是韩国与日本在零部件层面的竞争，但是在光刻胶（PR）和核心设备领域的发力，则是韩国针对 2019 年日韩贸易摩擦的一次长达数年的“反击战”成果展示。

2019年的日韩贸易摩擦，当时，日本对韩国实施关键半导体材料出口管制，其中就包括EUV光刻胶、高纯氟化氢以及氟化聚酰亚胺，被业界称为“卡住韩国半导体命脉的三件套”。这一事件直接触发了韩国对于供应链安全的系统性反思，也推动其从全球制造中心向关键材料与设备自给体系转型。

在光刻胶领域，日本长期占据绝对主导地位。无论是ArF、KrF还是EUV光刻胶，其核心配方、分子设计与工艺适配能力，几乎全部掌握在日本厂商手中，JSR、东京应化（TOK）、信越化学构成了难以撼动的“三强格局”，其中EUV光刻胶更一度超过90%依赖日本供应。这种高度集中，使得光刻胶不仅是一种材料，更是一种“工艺控制权”。

如今，韩国 Dongjin Semichem（东进世美肯）与三星半导体深度协同验证，从最初的ArF光刻胶切入，逐步向更高分辨率与更复杂工艺推进，并已在部分EUV光刻胶环节实现量产验证。需要强调的是，光刻胶的突破并非单点技术攻关，而是“材料—曝光—显影—刻蚀”全流程的系统匹配，这意味着只有与晶圆厂深度绑定，才能真正完成验证与迭代。在这一点上，三星的存在，为韩国材料厂商提供了极为关键的“内生试验场”。

与此同时，SK集团通过SK Materials持续扩展其在半导体特种气体与光刻辅助材料领域的布局，从高纯前驱体到刻蚀气体，再到清洗与辅助材料，逐步构建起一个相对完整的本土供应体系。

在晶圆制造设备领域，长期以来，日本在非EUV设备领域拥有极强优势，东京电子（TEL）、SCREEN、日立高新等企业在涂胶显影、清洗、刻蚀与检测等关键环节占据主导地位，构成了先进制程不可或缺的“设备骨架”。

韩国厂商在设备领域的策略是从细分赛道切入，逐步向核心环节渗透。

在前道设备领域，SEMES（三星控股）与Jusung Engineering已经在清洗、ALD（原子层沉积）等关键工艺设备上取得突破，部分产品在先进节点中实现导入，其竞争力不仅体现在性能指标上，更体现在与三星产线的高度协同与快速迭代能力上。

而在后道封装设备领域，韩国则在AI时代抓住了新的机会窗口。随着HBM与先进封装需求的爆发，热压缩键合（TC Bonding）成为关键工艺之一。Hanmi Semiconductor在这一领域快速崛起，其TC Bonder设备已被SK海力士与美光等主流存储厂商采用，成为HBM堆叠中的核心设备之一。在这一细分赛道上，韩国厂商甚至实现了对日本与部分欧美厂商的反超。