DRAM芯片现货价，首次回调
上周DRAM现货价格走弱，这也是2025年9月以来首次回调。
遭受存储涨价潮重压的下游厂商们，或许能稍稍“喘口气”了。
据美银最新报告显示，在连涨多个月之后，上周DRAM现货价格走弱，这也是该价格自2025年9月以来首次出现回调。
随着DRAM现货价持续攀升，已有多家OEM反映，低阶PC、智能手机与平板中的DRAM成本占比已高于合理水准。一般而言，DRAM成本占比在终端产品售价中的比例低于一成，但按照目前现货价格计算，部分产品已难以吸收相关成本。
不过，现货价与合约价情况不同，一线OEM与普通OEM的成本也不尽相同。
美银指出，DRAM现货与合约价格仍存在明显落差。一线OEM拿到的DRAM合约价格仍大致在每GB 10~20美元区间，远低于现货市场水准，现货价格后续可能朝合约价格回归。
部分模组厂也表示，若DDR4或DDR5价格回落至20~30美元区间，不论容量或规格，市场仍具备明显追加采购动能。
美银指出，目前不好将这次回调定义为“产业反转”或是“硬着陆”的早期信号，但短期价格波动已开始反映终端成本。
回调是短暂的，从机构预期来看，涨价依旧是存储产业的“主旋律”。
TrendForce今日发布的存储产业调查显示，2026年第一季AI与数据中心需求持续加剧全球存储器供需失衡，原厂议价能力有增无减，全面上修第一季DRAM、NAND Flash各产品价格环比增幅，预估整体Conventional DRAM合约价将从一月初公布的55%~60%环比增幅，改为上涨90%~95%，NAND Flash合约价则从环比增幅33%~38%上调至55%~60%，并且不排除仍有进一步上调空间。
此外，美银已上调存储产业中期展望，将2026 年DRAM与NAND平均销售价格（ASP）预期上调20%以上，并小幅提高储存位元出货量成长假设，同时上修资本支出预估，主要反映HBM扩产，以及晶圆厂土木工程与电力等基础建设投资增加。
美银表示，在AI驱动需求与HBM扩产支撑下，存储产业中期基本面仍偏正向，后续关键仍在于价格修正幅度与终端需求消化速度。其仍看好存储产业具备多年成长周期，但预期2026年第二季至下半年ASP将趋于稳定，2027年可能出现低于10%的价格回调。
本文来自微信公众号“科创板日报”，作者：郑远方，36氪经授权发布。
