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消息称三星电子完成900层超高堆叠3D NAND闪存原型开发

2026-05-25 17:30分享至
三星电子近期利用单元多层键合 (CMB) 技术连接两片450层3D NAND,构建了全球首个900层超高堆叠3D NAND闪存原型,这一样品的存储单元工作特性已得到验证。 (财联社)原文链接

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2026-05-25

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