超级周期撞击，手机、电脑会持续涨价吗？
芯片涨价潮不止：制造业开香槟，手机电脑小厂迈入生死存亡。
一场被称为“超级周期”的存储芯片涨价潮，正持续冲击全球电子产业链。
2025年第四季度，三星、海力士等国际存储原厂已向客户发出通知：DRAM内存和NAND闪存价格将上调最多30%。而这只是序幕。闪迪在11月将NAND闪存合约价大幅调涨50%，已是其年内第三次涨价。
调研机构集邦咨询的数据显示，自9月初至今，DDR4 1Gx8颗粒现货价格环比上涨158%，DDR5 2Gx8颗粒更是大涨307%。NAND闪存因供应极度紧张，报价几乎每日波动。
“这轮涨价从第二季度开始，核心驱动力是AI。”存储方案解决商科摩思市场总监辜建文对凤凰网科技表示，根据行业观察，单台顶配AI训练服务器的DRAM用量可能达到传统服务器的8倍，需求爆发导致上游将产能转向高利润的HBM（高带宽内存）和DDR5，原有DDR4产能被挤压，市场出现缺口。
近期，凤凰网科技获悉，国产品牌长鑫存储，全球第四大DRAM原厂——也跟随趋势，宣布未来聚焦DDR5等高端产品，并于11月发布首款国产DDR5产品，而在10月，其刚刚发布应用于手机、笔记本等低功率场景的LPDDR5X产品。其市场中心负责人骆晓东强调，中国需要稳定的国产DRAM产能，以减少对海外厂商的依赖。
01
终端震荡：从华强北到手机大厂
涨价效应正快速向下游传导。
深圳华强北一家电脑维修店的老板杨兴国发现，近两个月硬盘价格普遍涨了350元。他常卖的金士顿NV3 1TB硬盘，拿货价从350元涨到700元。“一天一个价格，比投资黄金都划算。”他说。渠道囤货现象也随之而来，一家小贸易商也对凤凰网科技表示：“同行都在囤存储的货，等涨价卖出去，低价回收高价出。”
作为向原厂采购晶圆的模组厂，长期与国内外存储原厂有紧密合作的科摩思，感受到供货周期被拉长。其市场总监辜建文表示，目前涨势主要看上游原厂价格政策进行调整，这导致采购成本波动加剧，对客户的交付周期也随之延长。
辜建文告诉凤凰网科技：“其实近期涨价潮让上游、中游和下游部分囤货商都获得了短期红利，接下来才是重点难题，各终端手中的库存消耗完后，怎么拿到合适价格的货，什么时候入？”
辜建文还发现，客户的备货策略也出现了明显的变化——B端客户备货由短变长。在涨价初期，他们多数认为涨幅有限、趋势平稳，采购以满足短期生产需求为主。但近两月价格涨势幅度变大，他们从短期订单转向长期大量备货，提前锁定BOM（物料清单）成本和保障产品供应，有的已备货至2026年第二甚至第三季度。
压力直接体现在消费电子产品上。小米10月发布的红米K90系列手机，全系起售价较上一代上涨100-500元。小米总裁卢伟冰公开解释，存储成本上涨“远高于预期”，且难以通过提价完全覆盖。Counterpoint报告指出，智能手机BOM成本显著攀升，部分机型涨幅可能高达15%，这将进一步压缩中高端市场的利润率。
并非所有厂商都选择跟涨。华为11月发布的Mate 80系列，标准版价格反而比前代低了800元。一升一降，背后是市场定位的差异与策略的分化。红米K系列定位中端，华为Mate系列定位高端。
集邦咨询已下调2026年全球智能手机和笔记本电脑出货预测，分别调整为年减2%及2.4%。其报告指出，存储器供应紧张可能引发市场新一轮洗牌，“大者恒大”趋势将更加明确。
目前，包括戴尔、惠普、小米、联想等消费电子终端厂商，均对DRAM内存价格上涨表示预警。
至于终端厂商最终是否会有更大程度的风险？辜建文认为，目前对于终端厂商的成本压力较大，终端厂家可能会调整生产节奏，根据现有库存量调节生产量以此控制成本。
来自华强北的贸易商迅丰达电子的“存储老K”对凤凰网科技表示，“目前有的工厂产品售价比较高的，还是会继续采购全新原装的存储芯片。 一些中低端产品的工厂接受不了目前高价的存储芯片会选择采购替代料，比如一些平价的国产品牌，甚至会采购一些二手料去生产。有些工厂依旧承受不了的话，在没有违约的情况下，就可能会选择停产或转型。”
辜建文表示，按照目前涨势，下游客户BOM成本上涨，最终的成本是分摊到消费终端。届时，对于电子产品换新需求和频率是否能增长，存在一定疑问。“消费终端的消费力会同步反馈到我们产业链的企业备货量。当价格高到一个程度的时候，消费者无法承受的时候，就会造成需求的减少。”他说。
在中芯国际Q3业绩会上，联合CEO赵海军表示，存储大周期对制造业是正面影响，但对终端厂商OEM来说，带来了价格压力和供应保障的挑战。其表示，从存储器市场规律看，供需的微小失衡会引发价格剧烈波动，根据观察，存储市场如果供应减少5%，价格会翻倍；如果供过于求5%，价格会跌一半。现在至少有接近这样的缺口，因此高价位会持续。
02
国产储存的窗口期来了？
这轮由AI驱动的“超级周期”，也为国产存储厂商打开了窗口。
集邦咨询数据显示，2025年第三季度DRAM产业营收环比增长30.9%，达414亿美元。预计第四季度一般型DRAM合约价将环比上涨45-50%。
长鑫存储在11月23日发布DDR5系列最高速率达8000Mbps，最高颗粒容量24Gb，LPDDR5X最高速率10667 Mbps、最高颗粒容量16Gb。据称，这两大产品系列速率、容量双维度均位居业界第一梯队，这标志着国产存储芯片具备与国际一线大厂同台竞技的技术实力。
长鑫存储市场中心负责人骆晓东表示，当前DRAM需求的爆发式增长对市场供给、价格都带来了巨大的影响，中国需要有稳定的国产DRAM产能供应，通过产能扩张和规模效应，减少对海外厂商产能的依赖。
而此前，长鑫存储母公司长鑫科技已于10月10日完成A股IPO辅导验收，按照常规上市节奏，预计将于近几个月内提交上市申请。
与长鑫存储存在关联的兆易创新，在11月24日的第三季度业绩会上宣布，公司计划于2026年实现自主研发的LPDDR4X系列内存产品量产，且已启动小容量LPDDR5X产品的研发布局。
值得提及的是，兆易创新已累计向长鑫科技投资超23亿元人民币，持有长鑫科技约1.88%股权。双方在业务上也有密切的协同关系，长鑫存储为兆易创新提供DRAM产品的代工服务，兆易创新则采购长鑫存储的DRAM产品，并用于其自身的DRAM业务拓展，主要是在利基型DRAM市场。
利基型存储包括利基型DRAM、SLC NAND和NOR Flash等，在制程、容量、应用场景等方面与主流存储产品不同，主要面向电视、工业控制、电力以及AI相关应用中的电源管理模块、RAID卡等特定领域。民生证券在《利基型存储深度报告》中指出，随着国际大厂退出利基存储市场，国产厂商有望承接份额。
赵海军在中芯国际业绩会上也称，AI行业占用了大量产能，导致大供应商放弃了那些“碎片化、少量多样”的市场，而这些被遗忘的市场，正是国内中小供应商的机遇。他同时透露，中芯国际的NOR Flash、NAND Flash等特色存储产品目前订单充足，正是得益于这种溢出效应。
兆易创新也专注于NOR Flash、SLC NANDFlash、利基型DRAM等产品的研发设计。其高管在第三季度业绩说明会上表示，利基型DRAM市场呈现明显的供不应求现象，海外厂商将经营重点转向HBM和DDR5，导致利基型DRAM产能受到挤压。初步预计涨价趋势在未来的两个季度有望得以延续，并在明年后续几个季度维持相对较高的价格水平。
公司也明确表示，长鑫科技协同为兆易创新的利基型DRAM产品提供了稳定产能保障。
在NAND领域，兆易创新专注高性能SLC NAND Flash。随着三星、美光等转向3D NAND并逐步退出2D NAND市场，专注细分市场的企业迎来机会。兆易创新的SLC NAND产品已开始涨价，预计趋势将在明年延续。
招商电子在近期报告中指出，存储行业上行周期中，国内模组公司正快速扭亏为盈，利基存储及产业链公司将持续受益。但分析师也提醒，行业新进入者增多可能导致竞争加剧，若国产产品质量缺乏竞争力，替代进程或将放缓。
本文来自微信公众号“凤凰网科技”，作者：王亮，编辑：赵子坤、董雨晴，36氪经授权发布。
