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英飞凌将向奥地利工厂投资11亿欧元,目标量产300毫米晶圆氮化镓功率半导体

2026-10-27 16:42分享至
英飞凌10月27日宣布,将在欧洲建立全球首个基于300毫米晶圆的新一代氮化镓(GaN)功率半导体大规模生产基地。作为该项目的一部分,英飞凌计划到2034年向奥地利菲拉赫工厂的现有洁净室设施投入约11亿欧元,旨在利用现有及升级后的基础设施实现产能扩张。该基地计划2027年底投产。(财联社)原文链接

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