三星公布下一代存储器战略：HBM5性能目标提升至HBM4E两倍

三星电子DS部门存储器事业部产品企划团队负责人崔长锡1日公布了三星下一代存储器战略。三星电子目前正在开发HBM5，目标是相比HBM4E将性能提升2倍、每瓦性能提升20%，同时将热阻降低20%，以满足AI芯片对高性能和低功耗的需求。面向HBM5之后的zHBM，三星计划进一步提升性能。三星提出的目标是，zHBM相比HBM4E性能提升8倍、每瓦性能提升3倍，同时将热阻降低75%至90%。（新浪财经）原文链接