SK海力士正在为其下一代HBM方案引入先进封装技术

SK海力士正在为其下一代HBM解决方案引入包括英特尔EMIB在内的先进封装技术，并计划最终迈入3D封装时代。在2026年的Hot Chips大会上，SK海力士封装工程副总裁Jaesik Lee发表了题为“高带宽内存的先进封装”的报告，详细阐述了公司将如何利用先进封装技术加速其HBM产品路线图，目前SK海力士正在探索混合键合（Hybrid Bonding）等方法，以突破16层堆叠的限制，未来，SK海力士还计划通过增加TSV数量、提高逻辑工艺集成的IO速度，以及优化电源分配网络（PDN）来解决功耗挑战。（财联社）原文链接