06月
25
美光科技：预计下一代DRAM与NAND明年下半年开始进入量产阶段
据报道，美光科技6月24日表示，下一代DRAM与NAND节点的研发进展良好，预计将在2027年下半年开始进入量产阶段。HBM4 12层产品的量产爬坡速度目前是HBM3E 12层版本的两倍。公司已经累计交付超过10亿美元的HBM4收入。（界面）原文链接
据报道，美光科技6月24日表示，下一代DRAM与NAND节点的研发进展良好，预计将在2027年下半年开始进入量产阶段。HBM4 12层产品的量产爬坡速度目前是HBM3E 12层版本的两倍。公司已经累计交付超过10亿美元的HBM4收入。（界面）原文链接
