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SK海力士推进全新HBM封装技术,或缩小DRAM层间距

2026-03-04 08:33分享至
据ZDnet,SK海力士正在推进一项旨在提升HBM4稳定性和性能的封装技术革新,其核心措施包括增加DRAM厚度和缩小DRAM层间距,目前该技术正在验证阶段。若其成功商业化,将有效缩小HBM4及未来产品在DRAM性能上的差距。(财联社)原文链接

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2026-03-04

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