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三星电子拟增大DRAM尺寸以提升HBM4性能

2026-02-27 15:20分享至
据ZDNet,三星电子正集中精力提高1c DRAM的良率,同时抢占HBM4市场份额。具体而言,三星电子决定增大其第六代10nm级DRAM芯片的尺寸,从而同时提升DRAM和HBM4的稳定性。(新浪财经)原文链接

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