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日本半导体制造商Rapidus维持2027年量产目标不变
7月18日，日本半导体制造商Rapidus宣布，已在其创新集成制造工厂（IIM-1）启动2纳米全环绕栅极（GAA）晶体管结构的原型试制，原型晶圆并已启动电性参数测试。Rapidus表示，在正开发一款与创新集成制造工厂2纳米工艺兼容的工艺开发套件，并将于2026年一季度向先期客户发布，同时为客户打造一个可自主开发原型的环境。Rapidus预计将于2027年开始量产。（界面）原文链接
7月18日，日本半导体制造商Rapidus宣布，已在其创新集成制造工厂（IIM-1）启动2纳米全环绕栅极（GAA）晶体管结构的原型试制，原型晶圆并已启动电性参数测试。Rapidus表示，在正开发一款与创新集成制造工厂2纳米工艺兼容的工艺开发套件，并将于2026年一季度向先期客户发布，同时为客户打造一个可自主开发原型的环境。Rapidus预计将于2027年开始量产。（界面）原文链接
