06月
12
MOSFET、IGBT晶圆代工第三季确定涨价，涨幅最高20％
金氧半场效电晶体（MOSFET）及绝缘闸双极电晶体（IGBT）等功率半导体下半年恐现缺货潮，IDM厂及IC设计厂均大动作争抢晶圆代工产能，包括茂矽、汉磊、世界先进、新唐等MOSFET或IGBT订单满到年底，第三季已确定涨价，其中6吋晶圆代工价格大涨10-20％，8吋晶圆代工价格亦调涨5-10％。（国际电子商情）
金氧半场效电晶体（MOSFET）及绝缘闸双极电晶体（IGBT）等功率半导体下半年恐现缺货潮，IDM厂及IC设计厂均大动作争抢晶圆代工产能，包括茂矽、汉磊、世界先进、新唐等MOSFET或IGBT订单满到年底，第三季已确定涨价，其中6吋晶圆代工价格大涨10-20％，8吋晶圆代工价格亦调涨5-10％。（国际电子商情）
