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IBM发表新型绝缘体,助力先进制程芯片良率

2017-04-13 14:10分享至
IBM近日推出了新型绝缘体,该种材料有两种型态──氮碳化硅硼(SiBCN)以及氮碳氧化硅(SiOCN),号称两者都能让芯片性能与良率有所提升。此外IBM还展示了如何在线路之间填充SiBCN或SiOCN,来建立线边缘粗糙度(line edge roughness,LER)变异的模型,以及透过预先筛选芯片测试达到更有效量测故障率、让芯片性能优化的新技术。原文链接

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2017-04-13

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