10月
16
消息称三星电子HBM3E商业化迟缓或与DRAM制程有关，考虑重新设计1a DRAM电路
据业界消息，三星电子的HBM商业化迟缓或与HBM核心芯片DRAM有关，1a DRAM的性能阻碍了三星电子向英伟达提供HBM3E量产供应。据知情人士透露，三星正在内部讨论重新设计部分1a DRAM电路的计划，但尚未做出最终决定，因为这一决定需要承受各种风险，如果重新设计，预计至少需要六个月才能完成产品，直到明年第二季度才能实现量产。（财联社）原文链接
据业界消息，三星电子的HBM商业化迟缓或与HBM核心芯片DRAM有关，1a DRAM的性能阻碍了三星电子向英伟达提供HBM3E量产供应。据知情人士透露，三星正在内部讨论重新设计部分1a DRAM电路的计划，但尚未做出最终决定，因为这一决定需要承受各种风险，如果重新设计，预计至少需要六个月才能完成产品，直到明年第二季度才能实现量产。（财联社）原文链接
