08月
03
SK海力士开发出238层NND闪存芯片，明年上半年量产
韩国SK海力士（SK Hynix）日前已开发出238层NAND闪存芯片，其可以用于PC存储设备、智能手机和服务器。SK海力士宣称新的238层芯片是最小的NAND闪存芯片，数据传输速度相比上代产品提升50%，读取数据消耗的能量降低21%。SK海力士准备于2023年上半年开始大规模生产新芯片。（新浪科技）原文链接
韩国SK海力士（SK Hynix）日前已开发出238层NAND闪存芯片，其可以用于PC存储设备、智能手机和服务器。SK海力士宣称新的238层芯片是最小的NAND闪存芯片，数据传输速度相比上代产品提升50%，读取数据消耗的能量降低21%。SK海力士准备于2023年上半年开始大规模生产新芯片。（新浪科技）原文链接
