潮科技 | 中科院院士、“中国功率半导体领路人”陈星弼在成都逝世,享年89岁

创投小助手 · 2019-12-05
陈星弼院士表示,只有科学的趣味是无限的;在科学的道路上,遇到困难、解决困难就是一种幸福。

编者按:本文来自 “集微网”,作者@乐川 ,原文题目《中科院院士、“中国功率半导体领路人”陈星弼在成都逝世,享年89岁》,36氪经授权发布,略有删减。

据集微网报道,被誉为“中国功率半导体领路人”、国际学术界“高压功率器件新的里程碑”的中国科学院院士、电子科技大学教授陈星弼,于12月4日17时10分,因病医治无效在成都逝世,享年89岁。陈星弼院士生于上海,祖籍浙江省浦江县,是国际著名微电子学家,教授、博士生导师。 

陈星弼院士是我国第一批学习及从事半导体科技的人员之一,是电子部“半导体器件与微电子学”专业第一个博士生导师且得到第一个博士点。1952年从同济大学电机系毕业毕业后,陈星弼先后在厦门大学、南京工学院及中国科学院物理研究所工作,1956年开始在成都电讯工程学院任教。1980年代,他作为访问学者,先后在美国俄亥俄州大学、加州大学伯克莱分校访学,被聘为加拿大多伦多大学客座教授、英国威尔斯大学天鹅海分校高级客座教授。1983年任电子科技大学微电子科学与工程系系主任、微电子研究所所长,并于1999年当选为中国科学院院士,后在 2001年加入九三学社。

国内、国际学术界的领路人和里程碑

陈星弼院士是国际半导体界著名的超结结构(Super Junction)的发明人,也是国际上功率器件的结终端理论的集大成者。他从1981年就开始研究半导体功率器件,在中国首次研制了VDMOST、IGBT、LDMOST、MCT、EST等器件,并在国际上第一个提出了各种终端技术的物理解释及解析理论。80年代末他提出了两种新的耐压层结构,并作了唯一的三维电场分析。其中超结结构大大突破了功率器件的硅极限,被称为“功率器件的新里程碑”。其美国发明专利US 5216275已被超过400个美国发明专利引用,中国因此获得78万美元的专利转让费。超结MOS器件已达到约10亿美元的年销售额。他还提出了最佳表面横向变掺杂的理论及横向新结构,在无需BCD技术而只用常规IC工艺的情况下,以最小面积研制出电学性能更好的高低侧功率器件。

陈院士近期的其它重要发明还包括高K电介质耐压结构、高速IGBT、两种多数载流子导电的器件等。

一生成就斐然

陈星弼院士一生成就包括著书7本、200余篇已发表的学术论文、20项获批的美国发明专利、17项获批的中国发明专利及申请的1项国际发明专利。此外,他先后荣获国家技术发明奖及国家科技进步奖2项,省部级奖励13项并完成国家自然科学基金重点项目、军事研究项目、国家“八五”科技攻关项目多项。2018年,陈星弼院士在功率半导体领域最顶级的学术年会上,成为国内首位入选ISPSD首届名人堂的华人科学家。

同龄人大多都已退休赋闲,陈星弼院士却在科研第一线奋战了几十年。陈星弼院士在接受媒体采访时曾表示,只有科学的趣味是无限的;在科学的道路上,遇到困难、解决困难就是一种幸福。

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