MicroLED搭上光通信快车
短短半年时间,MicroLED 完成了一次令人瞩目的赛道跨越。
半年前,谈及MicroLED,它还是AI眼镜等消费电子终端中备受瞩目的新型显示方案;如今,它已强势闯入光模块赛道,完成了从显示领域技术储备,到AI数据中心光互连关键技术的突破,从新型显示赛道的“潜力选手”,一跃成为AI算力时代光通信领域迈向更高带宽的突破口。作为微米级无机自发光技术,MicroLED的价值已逐步转向光互连与CPO光模块领域,凭借低功耗、高密度、高可靠性的天然优势,打破传统光铜互连的取舍困境,为高速算力互联提供了全新的解决方案。
MicroLED是什么?
MicroLED全称Micro Light Emitting Diode(微发光二极管,又称μLED),是一种微米级无机半导体自发光技术,行业通用标准将其定义为单颗边长<100μm(主流量产规格<50μm)的无机LED发光芯片,可作为独立可寻址单元,通过精准集成实现高效光电转换。其极简结构去除了传统显示技术的冗余层,核心优势集中于光电性能的极致优化,为光互连、CPO光模块应用奠定基础。
MicroLED的发光原理与传统LED一致,基于氮化镓(GaN)等第三代无机半导体材料的P-N结电致发光:给芯片施加正向电压时,半导体内部的电子与空穴复合,释放出光子实现电能到光能的转化。
在显示应用中,其单个显示像素由红、绿、蓝三颗独立的微米级LED芯片组成,每颗芯片都能被驱动电路独立控制通电状态与发光亮度。不发光的像素可完全断电关闭,实现真正的纯黑显示,彻底规避了LCD的漏光问题;同时极简的结构设计,去除了LCD的背光、液晶层、偏光片,以及OLED的有机发光层,大幅提升了光效、稳定性与集成度,也让其具备了跨赛道应用的潜力。
打破光铜取舍困境,MicroLED解锁1.6T+超高速互连新可能
当前AI算力的爆发式增长,对数据中心的互连带宽、传输距离、功耗与可靠性提出了前所未有的严苛要求。然而传统互连方案始终无法摆脱“光与铜”的根本性取舍困境,难以适配算力升级的需求。
具体来看,铜缆链路虽具备能效高、可靠性强的优势,但传输距离存在天然短板—— 无源铜缆传输距离不足 2 米,有源铜缆也仅能提升至 5-7 米,且随着带宽速率提升,信号衰减、电磁干扰与串扰问题会急剧加剧,无法适配长距、高速的传输场景;传统光链路虽能实现更长的传输距离,却要以高功耗、低可靠性为代价,单个通信用激光器功耗达数十至数百毫瓦,大规模阵列化部署会带来难以承受的功耗与散热压力,同时多激光器封装的复杂性会推高故障率,且无法通过冗余设计提升可靠性。在 1.6T/3.2T 及以上更高速率场景下,这种非此即彼的取舍困境愈发凸显,成为制约算力网络规模扩展的关键瓶颈。
而 MicroLED 光模块凭借其材料与架构的天然优势,实现了长距传输、低功耗、高可靠性的三者兼得,成为替代铜缆、互补传统激光方案的理想光源,尤其在 AI 数据中心共封装光学(CPO)场景中展现出极强的应用价值。与传统激光器方案相比,MicroLED 光模块的核心优势集中体现在五个方面:
第一:极致低功耗,破解高速场景散热痛点
MicroLED 作为面发射光源,采用 “宽而慢(WaS)”的创新架构,摒弃了传统方案 “少数高速通道” 的设计思路,转而通过海量低速通道并行传输实现高带宽。该架构的本质是,通过并行低速通道替代串行高速通道。例如实现800G带宽,可通过400个单通道速率2G的通道并行完成,单通道发光功耗极低。IEEE旗下光子学领域顶刊的最新研究数据显示,基于MicroLED的短距光互联方案,单通道功耗可降至传统VCSEL方案的1/10、硅光方案的1/5,同时光引擎集成密度可提升3倍以上,从根源上解决了高频场景下的功耗与散热痛点。
第二:超高可靠性,逼近铜缆级稳定标准
MicroLED芯片尺寸可做到10微米甚至更小,能够在单光模块内实现大规模阵列化集成,轻松部署冗余芯片。例如400个通道即可满足800G传输需求,实际可部署500颗芯片,即便10%的芯片出现故障,仍能稳定保障800G带宽传输,这种冗余设计让其可靠性逼近铜缆,彻底解决了传统激光器方案多通道部署故障率同步攀升的行业痛点。
第三:超强带宽扩展性,适配1.6T/3.2T算力演进需求
MicroLED光模块的带宽提升可通过“增加通道数”与“提升单通道速率”两条路径线性扩展,无需对核心架构进行颠覆性调整。800G、1.6T甚至3.2T的超高速率需求,均可通过灵活调整通道规模轻松满足,完美适配AI算力网络带宽持续升级的需求。
第四:全生态兼容,无缝对接现有网络架构
MicroLED光模块无需改变现有行业生态,可直接适配OSFP、QSFP等标准接口,兼容PCIe、VSR/MR等主流电气主机接口,以及以太网、InfiniBand、NVink、CXL等主流协议,无需对服务器、交换机等现有硬件进行任何改动,即可直接替代现有光铜链路,支持铜缆与光缆混合部署,大幅降低了技术落地的门槛与成本。
第五:天然适配CPO异构集成,契合下一代光互连趋势
MicroLED具备微米级发光尺寸、高调制带宽、低阈值电流、二维阵列化集成的天然优势,与CPO(共封装光学)的异构集成需求深度匹配。不同于传统激光器需要复杂的温控与波长稳定设计,MicroLED结构更简单、集成度更高,可直接与交换芯片、ASIC芯片实现共封装,无需高速信号转换,为下一代高密算力互连提供了极简、高效的解决方案。
国际厂商领跑:加速MicroLED光互连产业化落地
凭借在光互连领域的突破性技术价值,MicroLED已吸引全球产业链上下游企业密集布局,国际龙头企业率先发力,纷纷加码技术研发与产业化落地,推动行业快速从实验室技术验证走向商用落地阶段。
科技巨头微软率先完成核心架构的原型验证,推出了名为MOSAIC的架构(全称MicroLED Optical System for Advanced Interconnects,用于先进互连的 MicroLED 光学系统)。该架构基于“宽而慢”设计理念与 MicroLED 光源,实现了长距离、低功耗、高可靠的信号传输,目前已完成原型机验证,顺利通过以太网、InfiniBand 协议栈测试,同时确认了与 NVlink、CXL 等新型协议的兼容性。仿真数据显示,量产级模块的传输距离可突破 50 米,且功耗相比传统光链路实现大幅下降。
晶圆代工龙头台积电则与美国初创公司Avicena 达成深度合作,联合生产基于 MicroLED 的互连产品,以光通信替代传统电连接,主打低成本、高能效的核心优势,精准匹配 GPU 集群的高通信需求,直击 AI 算力场景下的互连瓶颈。
芯片设计厂商联发科自主攻克了MicroLED 光源技术,研发出全新有源光缆(AOC)解决方案,预计将于今年4月的光纤通信大会(OFC)上正式亮相;同时其推出的新一代定制化 ASIC 设计平台,可提供异质整合电子与光学讯号的传输界面解决方案,精准瞄准 AI 与高速运算市场。
面板领域的友达光电,凭借30 年的玻璃制程经验,结合自身成熟的 MicroLED 巨量转移技术,正式切入 AI 数据中心短距离光通信市场,实现了显示技术向光通信领域的跨界延伸。
此外,专业互连技术企业Credo Technology 通过收购 Hyperlume 强化自身光互连技术能力,与微软等企业协同推进 MicroLED 光互连技术的研发与落地,进一步拓展了技术的应用场景边界。
国内企业发力:全产业链多点突破,同步追赶
在国际厂商加速技术落地的同时,国内产业链企业也快速跟进,在核心芯片研发、模块量产、场景验证等多个环节实现多点突破,与国际厂商共同推动 MicroLED 光互连技术的产业化进程。
在核心技术突破与产业化落地方面,国内多家企业已取得阶段性成果。兆驰股份面向 MicroLED 光互连 CPO 技术的光源芯片已完成研发,进入样品验证阶段,其 400G 与 800G 并行光收发模块已实现小批量生产,率先实现了部分产品的产业化突破;三安光电联合清华大学、中国移动,在 MicroLED 光电器件与高速光通信领域取得重大突破,成功研制出具备高速调制能力的 MicroLED 光源器件,经测试其 3dB 调制带宽预计超过 7GHz,NRZ-OOK 数据传输速率有望突破 10Gb/s,完成了关键技术的核心验证;利亚德已向中科院提供 MicroLED 光模块产品,用于替代原有传统光传输方案,目前方案处于研发验证阶段,实现了场景试点的初步落地;新相微则与京东方华灿签署战略合作协议,双方将共同攻坚 MicroLED 光互连技术和光模块的研发与生产,目前正将已有的 MicroLED 产品技术拓展至智算中心光互连场景,同步开展场景系统与性能指标的评估分析工作。
与此同时,也有多家厂商正开展技术可行性评估与前期布局,为后续技术落地蓄力。洲明科技表示,公司 MicroLED 光互连技术正处于技术可行性评估及研究阶段,将结合技术成熟度曲线与市场需求变化,动态规划该技术方向的研发路径与资源配置;聚灿光电也已在 MicroLED 领域开展相关技术布局,目前处于技术探索与积累阶段,尚未应用于 CPO 领域,后续将根据技术成熟度灵活调整推进节奏。
结语
从显示领域的技术深耕,到光互连赛道的跨界突破,MicroLED 正在 AI 算力时代打开全新的增长空间。随着全球产业链企业的持续加码,技术研发的不断突破与产业化进程的持续提速,MicroLED 有望彻底改写数据中心互连领域的技术格局,成为支撑 AI 算力持续升级的核心底层技术之一。
本文来自微信公众号 “半导体产业纵横”(ID:ICViews),作者:鹏程,36氪经授权发布。















