晶体管
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迄今最小最快纳米激子晶体管问世
韩国浦项科技大学与俄罗斯圣彼得堡国立信息技术、机械学与光学研究型大学共同开发出一种纳米激子晶体管，该晶体管使用基于异质结构的半导体中的层内和层间激子，克服了现有晶体管的局限性。团队亦表示，纳米激子晶体管有望在实现光学计算机方面发挥不可或缺的作用，助力人类处理由人工智能技术驱动的海量数据。（科技日报）
2023-04-18
工业硅片上长出“完美”二维超薄材料，可用于制造下一代晶体管和电子薄膜
据发表在最新一期《自然》杂志上的论文，美国麻省理工学院工程师开发出一种“非外延单晶生长”方法，在工业硅晶圆上生长出纯净的、无缺陷的二维材料，以制造越来越小的晶体管。麻省理工学院研究团队用二维材料过渡金属二硫化物（TMD）制造了一种简单的功能晶体管，这种材料在纳米尺度上比硅具有更好的导电性。研究人员表示，未来或可制造出小于几纳米的器件，这将改变摩尔定律的范式。（科技日报）
2023-01-19
英特尔：不再按晶体管尺寸命名先进芯片工艺
7月27日英特尔宣布了新的制程工艺和封装技术路线图，并称到2024或2025年，将用新的20A制程工艺为高通代工。未来的英特尔产品将不再使用基于纳米的节点命名体系，而是为其制程节点引入了新的命名体系。例如，该公司新的10纳米芯片将被命名为“Intel 7”，而不会像Intel 10nm SuperFin芯片那样，再以10纳米为基础而命名。（腾讯一线）
2021-07-27
台积电2nm制程或2024年实现量产
美通社援引台媒称，台积电2nm制程研发获突破。区别于3nm与5nm采用鳍式场效晶体管（FinFET）架构，台积电2nm改采用全新的多桥通道场效晶体管（MBCFET）架构，此种架构能解决FinFET因制程微缩产生电流控制漏电的物理极限问题，研发进度超前。以台积电2nm目前的研发进度研判，供应链预计台积电2023年下半年可望进入风险性试产，2024年正式量产。有助于其未来持续拿下苹果、辉达等大厂先进制程大单。（界面）
2020-09-23
晶体管研发公司“氮矽科技”获千万级天使轮融资
36氪获悉，分离式氮化镓栅极驱动芯片及增强型氮化镓晶体管研发公司成都氮矽科技有限公司宣布获得千万级天使轮融资，由率然投资领投，鼎青投资跟投。创始人罗鹏表示，公司驱动及晶体管产品已完成流片、封装及应用搭建，正在进行客户导入，预计在年底前推出搭载其首款分离式高速氮化镓栅极驱动芯片以及氮化镓晶体管的快充产品，此次融资除了用于研发外，还将支持市场导入及销售。
2020-07-29
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