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三星宣布14纳米EUV DDR5 DRAM正式量产
三星宣布已开始量产基于极紫外光（EUV）技术的14纳米（nm）DRAM。根据最新DDR5标准，三星的14纳米DRAM速度达7.2Gbps，比DDR4的3.2Gbps快两倍多。（界面）
2021-10-12
澜起科技：车规级DDR4 RCD芯片已小规模出货
今日从澜起科技内部获悉，公司车规级（Grade-2）DDR4 RCD芯片已有小规模出货，直接客户为内存模组厂商，但相关收入占营收的比例很小。该芯片属于标准版DDR4 RCD芯片的延展产品，由于成本提升，售价相比标准版也有所提升。该芯片可用于一些对性能要求更高的特殊服务器，并有望更广泛地应用于智能汽车领域以及边缘计算领域。（财联社）
2021-03-12
紫光国芯国产DDR4内存上架
京东商城显示，紫光内存首批上架两个系列三款型号，其中台式机内存单条容量4GB、8GB，笔记本内存单条容量4GB，均为无马甲普条，频率2400MHz，延迟时序17-17-17，电压1.2V。价格方面，台式机4GB 129元、8GB 219元，笔记本4GB 129元。（选股宝）
2020-04-23
紫光宣布年底前完成DDR4内存并推向市场
目前DDR4行业有了最新进展，紫光国微公开称：“公司DDR4芯片正在开发中，预计年底前完成并推向市场。”此前，紫光就曾表示，他们在DRAM存储器芯片产品方面投入加大，目前DDR3是主流产品，DDR4有望在今年内完成开发。据悉，合肥长鑫、长江存储、福建晋华三家公司宣布2019年完成LPDDR4芯片。（TechWeb）
2018-07-31
国产 DDR4 内存预计年内上市
36氪讯，国产内存制造商紫光国微在深交所互动平台上表示，目前国产DDR4内存芯片正在顺利研发中，紫光国微预计今年底就可以将DDR4内存颗粒推向市场。
2018-07-30
紫光国芯DDR4内存开始量产
近日，紫光国芯旗下西安紫光国芯半导体有限公司生产的DDR4内存模组已经开始量产并且能够长期供货，紫光DDR4内存采用DIMM（U-DIMM）和SO-DIMM开发。据紫光国芯介绍，其DRAM芯片目前产品产量很小，市场份额不大。（IT之家）
2018-02-22
首个国产DDR4内存发布？紫光国芯回应：还处于研发阶段
近日网上传出紫光发布首个国产DDR4内存的消息，对此，紫光国芯(002049)今日上午回应称，网上关于公司DDR4产品的这个报道不太确切，公司开发的DDR3产品已正常销售，DDR4存储器芯片及模组目前还处于研发阶段，按照计划将在明年开始逐步推向市场。从产品开发完成到实现批量销售还需较长时间。（证券时报·e公司）
2017-12-27
中国第一条自主DDR4内存曝光：单条4GB
近日，紫光终于打造出了中国第一款自主的PC DDR4内存条，DRAM颗粒完全自己研发。从网上曝光的图片看，这条内存上有明显的紫光国芯(UnilC)标识，是个朴素的裸条设计，单条容量为4GB，更具体的规格参数看不太清楚。今年1月份，紫光集团宣布投资2000亿元在南京建设半导体产业基地，一期建成后将是中国规模最大的芯片制造工厂，月产晶圆10万片。去年7月，紫光还参与了长江存储的投资，后者计划总投资1600亿元，打造国产3D NAND闪存，还组建了500人的研发团队，攻关DRAM内存制造技术。
2017-12-23
美光发布32GB DDR4 NVDIMM内存：自带64GB闪存
据快科技报道，美光今天宣布了新一代NVDIMM-N内存条，将DDR4 DREAM内存与NAND闪存融合在了一起，不怕掉电。NVDIMM即非易失性内存条，美光研究已久，DDR3时代就做过，DDR4时代此前有8GB、16GB容量，新一代则翻番为32GB。
美光的这条新内存自带了64GB SLC NAND，万一碰上掉电或者有断电的迹象，板载FPGA就会立刻启动，将所有运行数据转移到闪存之内。断电期间，它可以使用电源线连接外部AGIGA PowerGEM电容来维持供电，或者通过DIMM 12V插槽由电池供电。
美光目前正在试产32GB NVDIMM-N，但未透露何时量产。
2017-11-14
创见发布工业级DDR4 SO-DIMM内存：可耐超高超低温
创见(Transcend)今天发布了一款新的工业级DDR4 SO-DIMM内存条，可适应各种极端温度环境。该内存的规格很普通，容量8GB、16GB(前者可选ECC)，频率2400MHz，电压1.2V，但特制的PCB上拥有工业级电容、30微米镀金层，可承受-40℃到85℃的各种温度环境，并且抗冲击、抗电磁干扰。
2016-11-29
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