10月
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三星据悉将采用台积电3纳米工艺为英伟达生产下一代HBM基底裸片
据报道，三星电子计划采用台积电的3纳米工艺生产英伟达的下一代定制高带宽内存（HBM）基底裸片。据悉，英伟达希望供应商统一制造工艺以确保性能的一致性，已要求三星、SK海力士和美光在NVHBM的基底裸片生产中采用台积电的3纳米工艺。此举标志着三星将首次在HBM制造阶段与台积电展开合作。（界面）原文链接
据报道，三星电子计划采用台积电的3纳米工艺生产英伟达的下一代定制高带宽内存（HBM）基底裸片。据悉，英伟达希望供应商统一制造工艺以确保性能的一致性，已要求三星、SK海力士和美光在NVHBM的基底裸片生产中采用台积电的3纳米工艺。此举标志着三星将首次在HBM制造阶段与台积电展开合作。（界面）原文链接
