08月
11
消息称SK海力士推进EUV工艺，开始引入新材料PSM
据ZDNET Korea，SK海力士正致力于推进其极紫外光刻（EUV）技术，以实现下一代DRAM的量产。公司于去年首次推出高数值孔径（High-NA）EUV设备，并于今年全面启动相关技术的研发。该公司已全面开始引入相移掩模（PSM）等新型材料，以提升EUV光刻性能。（财联社）原文链接
据ZDNET Korea，SK海力士正致力于推进其极紫外光刻（EUV）技术，以实现下一代DRAM的量产。公司于去年首次推出高数值孔径（High-NA）EUV设备，并于今年全面启动相关技术的研发。该公司已全面开始引入相移掩模（PSM）等新型材料，以提升EUV光刻性能。（财联社）原文链接
