02月
06
三星据悉将扩大用于HBM4的DRAM产能
2月6日消息，据报道，三星电子计划今年将基于10纳米工艺的第六代（1c）DRAM（用于HBM4）产量提升约170%。三星制定战略，将在韩国京畿道平泽第四工厂安装设备，计划明年第一季度实现月产10万至12万片DRAM晶圆；该生产线将全面配备制造HBM4用1c DRAM的设备。三星当前1c DRAM月产能为7万片晶圆。（界面）原文链接
2月6日消息，据报道，三星电子计划今年将基于10纳米工艺的第六代（1c）DRAM（用于HBM4）产量提升约170%。三星制定战略，将在韩国京畿道平泽第四工厂安装设备，计划明年第一季度实现月产10万至12万片DRAM晶圆；该生产线将全面配备制造HBM4用1c DRAM的设备。三星当前1c DRAM月产能为7万片晶圆。（界面）原文链接
