06月
30
三星宣布量产3纳米制程芯片，超车台积电
6月30日，三星电子宣布已经开始大规模生产3纳米芯片，是全球首家量产3纳米芯片的公司。三星称，与前几代工艺使用FinFET技术不同，三星使用的全环绕栅极（gate-all-around, GAA）晶体管技术，使新开发的第一代3纳米工艺可以降低45%的功耗，性能提高23%，并减少16%的面积。三星并未公布首发客户名单，也没有详细说明新芯片的产量，但市场传出三星3纳米制程最初客户有上海磐矽半导体和高通等公司。（界面）原文链接
6月30日，三星电子宣布已经开始大规模生产3纳米芯片，是全球首家量产3纳米芯片的公司。三星称，与前几代工艺使用FinFET技术不同，三星使用的全环绕栅极（gate-all-around, GAA）晶体管技术，使新开发的第一代3纳米工艺可以降低45%的功耗，性能提高23%，并减少16%的面积。三星并未公布首发客户名单，也没有详细说明新芯片的产量，但市场传出三星3纳米制程最初客户有上海磐矽半导体和高通等公司。（界面）原文链接
